信号传输速率：DC to 30Mbps
宽电源电压范围：2.5V to 5.5V
宽温度范围：-40°C to 125°C
无需启动初始化
默认输出高电平和低电平选项
优异的电磁抗扰度
高CMTI：+150KV/us（典型值）
低功耗（典型值）：
电流为3mA/通道（@3.3V，1Mbps）
电流为6mA/通道（@3.3V，30Mbps）
精确时序（典型值）：
40ns 传播延迟
4ns 脉冲宽度失真
2ns 传播延迟误差
22ns 最小脉冲宽度
高达5kVRMS 的隔离电压
隔离栅寿命：>40 年
施密特触发器输入
符合RoHS 标准
采用SOP-8 和SOW-8 封装
NE8532 是一款高性能2 通道数字隔离器，具有精确的时序特性和低电源损耗。
在隔离 CMOS 数字I/O 时，NE8532 器件可提供高电磁抗扰度和低辐射。所有器件版本均具有施密特触发器输入，可实现高抗噪性能。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由二氧化硅（SiO2）绝缘栅隔离。
NE8532 具有两个通道，方向可选。NE8532 具有故障安全模式选项。
NE8532器件具有高绝缘能力，有助于防止数据总线或其他电路上的噪声和浪涌进入本地接地端，从而干扰或损坏敏感电路。高CMTI 能力有望保证数字信号的正确传输。NE8532 器件有宽体和窄体两种封装，其中窄体封装器件具有 3.75kVRMS 的隔离额定值，宽体封装的产品支持绝缘耐压高达 5kVRMS。
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